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FDY301NZ-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- FDY301NZ 是一款精心打造的N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-523封装技术。该器件的核心优势在于其卓越的电气性能指标，包括工作电压VDSS高达20V，连续电流承载力ID达到0.8A，而导通电阻RD(on)仅为100mR，实现了低损耗、高效率运行。因其优秀的规格与小型化设计，FDY301NZ MOS管尤其适用于电源转换、电池管理系统以及其他对体积和效能要求严苛的电子设备中，以实现高效的功率控制和切换功能。
- 商品型号
- FDY301NZ-HXY
- 商品编号
- C22367110
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
商品概述
FDY300NZ采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V，漏极电流ID = 0.8A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 250 mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 360 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源