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STN484D-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- STN484D 是一款高性能N沟道MOSFET，采用行业标准TO-252-2L封装，专为处理高功率应用而设计。该器件具有卓越的电气性能工作电压VDSS高达30V，可承载峰值电流ID为50A，尤其值得关注的是其超低导通电阻RD(on)仅为7.5mR，有效减少能量损耗并提高系统效率。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统以及各种需要大电流、低阻抗开关特性的场合，是提升电路性能的理想选择。
- 商品型号
- STN484D-HXY
- 商品编号
- C22367117
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3615克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
DMG6968UDM采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 7A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理