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FDD6680AS-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- FDD6680AS 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型TO-252-2L封装，专为高电流应用场合打造。器件关键特性包括工作电压VDSS高达30V，可承载高达60A的强大连续电流，其超低导通电阻RD(on)仅为7mR，确保在大电流运行下仍能维持高效能和低热量损耗。
- 商品型号
- FDD6680AS-HXY
- 商品编号
- C22367119
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDY301NZ采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 0.8A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 250 mΩ
- 当VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 360 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源