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NTD4809N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流60A，能满足高功率需求。电压30V，可在多种常见电路环境稳定运行。内阻典型值7mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备进行电流控制。
- 商品型号
- NTD4809N-HXY
- 商品编号
- C22367124
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.843nF |
商品概述
FDD8880采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 9 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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