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NTD4904N-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTD4904N-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:120A

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描述
此场效应管为N型,电流达120A,具备强大的电流承载能力。电压为30V,能在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值仅3mR,能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域,可用于特定大功率电子设备的电流调控。
商品型号
NTD4904N-HXY
商品编号
C22367133
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.374克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
耗散功率(Pd)62.5W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20.6nC@10V
输入电容(Ciss)2.485nF
反向传输电容(Crss)85pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)850pF

数据手册PDF