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NTD4904N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流达120A，具备强大的电流承载能力。电压为30V，能在多种常见电路环境中稳定运行。内阻典型值仅3mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流调控。
- 商品型号
- NTD4904N-HXY
- 商品编号
- C22367133
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.971nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMN3009SJK3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 160A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 2.3 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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