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FDD8782-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- FDD8782 是一款高性能N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，特别针对大电流应用场合优化设计。器件特色鲜明工作电压VDSS高达30V，能承载60A的连续电流，且导通电阻RD(on)仅为7mR，保证在大电流运行时维持高效能和低热耗损。
- 商品型号
- FDD8782-HXY
- 商品编号
- C22367127
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
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