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FDD8870-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- MOS管FDD8870 采用先进工艺打造的N沟道MOSFET，封装形式为TO-252-2L，具有高效能与高可靠性。其耐压值高达VDSS30V，连续漏极电流可达ID120A，展现出强大的电流承载能力。更值得关注的是，该器件拥有出色的导通电阻仅为3mΩ，大大降低了功耗并提升系统效率，是各类电源转换、电机驱动等应用的理想选择。
- 商品型号
- FDD8870-HXY
- 商品编号
- C22367131
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.971nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
商品概述
IRFR3707ZPBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 60A
- RDS(ON) < 9mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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