温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN3R4-30BLE-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- PSMN3R4-30BLE N沟道MOS管采用先进的TO-252-2L封装，旨在优化空间利用并提升散热性能。本器件额定漏源电压(VDSS)为30V，最大连续漏极电流(ID)高达120A，可轻松应对大电流应用场景。其独特优势在于极低的导通电阻RD(on)，仅为3mΩ，确保在工作状态下减少能耗，提高整体系统效率。广泛应用于开关电源、马达驱动、LED照明等领域，是高效能、低功耗解决方案的理想之选。
- 商品型号
- PSMN3R4-30BLE-HXY
- 商品编号
- C22367134
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.971nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
商品概述
FDD8870采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 120A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 3.8mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
相似推荐
其他推荐
- AOD210-HXY
- AOD508-HXY
- DMN3009SK3-HXY
- IPD90N03S4L-03-HXY
- IRFR8314PBF-HXY
- SUD35N10-26P-HXY
- SQD50P03-07-HXY
- SFT1342-HXY
- SQD19P06-60L_GE3-HXY
- SUD19P06-60-GE3-HXY
- AUIRFR5305TR-HXY
- AOD2922-HXY
- STD10NF10T4-HXY
- FDD1600N10ALZ-HXY
- IRLR120NPBF-HXY
- RD3P050SNTL1-HXY
- FQD13N10L-HXY
- IRFR120NPBF-HXY
- ST16N10-HXY
- HUF76609D3S-HXY
- SFT1443-HXY