PSMN3R4-30BLE-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:120A

描述

PSMN3R4-30BLE N沟道MOS管采用先进的TO-252-2L封装，旨在优化空间利用并提升散热性能。本器件额定漏源电压(VDSS)为30V，最大连续漏极电流(ID)高达120A，可轻松应对大电流应用场景。其独特优势在于极低的导通电阻RD(on)，仅为3mΩ，确保在工作状态下减少能耗，提高整体系统效率。广泛应用于开关电源、马达驱动、LED照明等领域，是高效能、低功耗解决方案的理想之选。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PSMN3R4-30BLE-HXY

商品编号

C22367134

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.364克(g)