温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD8880-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- FDD8880 是一款高效能N沟道MOSFET，采用标准化TO-252-2L封装，专注于解决大电流应用场景的需求。其主要特性如下工作电压VDSS高达30V，能稳定承载60A的连续电流，尤其值得一提的是其卓越的导通电阻RD(on)，仅为7mR，使得在大电流工作条件下依然保持低功耗和高效能。此款MOS管广泛应用于电源适配器、电源转换与电机驱动等领域，是提升系统性能和节能效果的理想选择。
- 商品型号
- FDD8880-HXY
- 商品编号
- C22367120
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.843nF |
商品概述
RUE002N02采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 0.8A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 250 mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 360 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源