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IRLR7821PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- IRLR7821PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典TO-252-2L封装，专为应对高功率、大电流应用场景而生。其强大之处在于工作电压VDSS高达30V，能够承载高达60A的连续电流，而导通电阻RD(on)仅为7mR，即使在大电流工况下也能保持出色的能效与较低的发热量。
- 商品型号
- IRLR7821PBF-HXY
- 商品编号
- C22367123
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 228pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.843nF |
商品概述
PSMN3R4 - 30BLE采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 120A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 3.8mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源