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IPD30N03S2L-10-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- IPD30N03S2L-10 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。该器件具有出众的电气参数工作电压VDSS高达30V，连续电流ID最高可达60A，且拥有极低的导通电阻RD(on)仅为7mR，确保在大电流环境下也能保持高效能和低热损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等场合，是提升系统能效、强化可靠性的不二之选。
- 商品型号
- IPD30N03S2L-10-HXY
- 商品编号
- C22367121
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.843nF |
商品概述
IPD30N03S2L-10采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 60 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 9 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源