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DMG4468LK3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流达50A，具备较强的电流承载能力。电压为30V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值7.5mR，能量损耗较小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流调控。
- 商品型号
- DMG4468LK3-HXY
- 商品编号
- C22367118
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3615克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMG4468LK3采用先进的沟槽技术，可实现出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，且能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 30 V，漏极电流 = 50 A
- 栅源电压 = 10 V时，漏源导通电阻 < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源