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FDY302NZ-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- FDY302NZ 是一款选用紧凑型SOT-523封装的优质N沟道MOS管，专为提升系统效率而设计。该器件具有稳定的电气性能，工作电压VDSS高达20V，能够支持连续电流ID高达0.8A，且在导通状态下展现出色的低阻特性，RD(on)仅为100mR。这款MOS管广泛应用在电源管理、马达驱动、充电设备等场景中，以其优良的性能表现和小尺寸封装，助力您的电子产品实现更高能效比和更优的空间利用率。
- 商品型号
- FDY302NZ-HXY
- 商品编号
- C22367111
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SI1012X-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 0.8A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 250 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) < 360 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET