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RUE002N02-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流为0.8A，适用于低功率场景。电压20V，能在特定电压区间稳定运行。内阻典型值100mR。VGS为8V。在消费电子领域，可用于一些小功率电子设备的电流调控。
- 商品型号
- RUE002N02-HXY
- 商品编号
- C22367112
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
商品概述
STN484D采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 50 A
- RDS(ON) < 10 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源