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SI1012X-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- SI1012X-T1-GE3 是一款采用先进SOT-523封装技术的高性能N沟道MOS管。器件具有强大而稳定的电气性能，额定电压VDSS高达20V，可持续提供0.8A的最大电流ID，同时拥有出色的导通电阻RD(on)低至100mR，确保高效低耗运行。这款MOS管广泛应用于各类电源转换、负载驱动、便携设备以及智能硬件领域，凭借其卓越的性能和紧凑封装，为用户在设计过程中实现最佳的功率管理方案。
- 商品型号
- SI1012X-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367114
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDD6680AS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 60 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 9 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源