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IRLML6401PBF-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- IRLML6401PbF P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高效空间利用设计。该器件具备20V的最大工作电压（VDSS），能承载高达5A的连续漏极电流（ID），适用于大电流处理场景。其低至35mR的导通电阻（RD(on)）确保了高效能和低损耗。广泛应用于电源转换、电池管理系统、以及需要高速开关和高电流控制功能的电子设备中，是工程师的理想选择。
- 商品型号
- IRLML6401PBF-HXY
- 商品编号
- C22367104
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
SIR462DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 50A
- RDS(ON) < 8.5mΩ，VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源