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IRLML6401PBF-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- IRLML6401PbF P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高效空间利用设计。该器件具备20V的最大工作电压（VDSS），能承载高达5A的连续漏极电流（ID），适用于大电流处理场景。其低至35mR的导通电阻（RD(on)）确保了高效能和低损耗。广泛应用于电源转换、电池管理系统、以及需要高速开关和高电流控制功能的电子设备中，是工程师的理想选择。
- 商品型号
- IRLML6401PBF-HXY
- 商品编号
- C22367104
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 857pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 114pF |