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DMG6968UDM-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 这款场效应管为N+N型，电流7A，可满足一定功率需求。电压20V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值14mR，能量损耗相对较低。VGS为10V。在消费电子领域，可用于特定中等功率电子设备的电流控制。
- 商品型号
- DMG6968UDM-HXY
- 商品编号
- C22367107
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
IRLML6401PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理