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IRLML2244PBF-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- IRLML2244PbF P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，为现代电子设备提供高效能和节省空间的解决方案。该器件工作电压高达20V（VDSS），并能稳定传输5A的漏极电流（ID），在同类产品中表现出色。其优越的导通电阻仅为35mR（RD(on)），确保在高电流应用中实现低损耗和高效率。广泛应用于电源切换、电池管理系统、以及其他需要快速响应和低导通阻抗的电路设计中。
- 商品型号
- IRLML2244PBF-HXY
- 商品编号
- C22367106
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
DMN53D0LQ采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 50 V
- ID = 0.22 A
- RDS(ON) < 2.0 Ω @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源