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SM2305SRL-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- SM2305SRL P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度电路设计。器件具备20V的最大工作电压（VDSS），并能承载高达5A的连续漏极电流（ID），显示了卓越的电流处理性能。其35mR的低导通电阻（RD(on)）确保了在大电流应用中的高效能和低功耗。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护电路等多种场合，是您进行高精度、低损耗功率控制的理想选择。
- 商品型号
- SM2305SRL-HXY
- 商品编号
- C22367105
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.31W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
NTMFS4C029N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 80A
- RDS(ON) < 6mΩ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源