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CSD17307Q5A-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- CSD17307Q5A N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，实现紧凑尺寸与高效散热的完美平衡。该器件参数优越支持30V的最大漏源电压(VDSS)，能够提供稳定的50A连续电流，得益于6.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，确保了高能效转换和降低功耗。广泛应用在电源转换、电机驱动等大电流领域，是提升系统性能和节能方案的理想半导体器件。
- 商品型号
- CSD17307Q5A-HXY
- 商品编号
- C22367097
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.130653克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
SM6536D1RL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 50A
- RDS(ON) < 8.5mΩ，VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源