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NVMFS4C310N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流80A，可承载较大功率。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值4.7mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流调控。
- 商品型号
- NVMFS4C310N-HXY
- 商品编号
- C22367101
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
FDMS6673BZ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V，漏极电流ID = - 70A
- 当栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 8.8mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源