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SM6536D1RL-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- SM6536D1RL N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，融合了高效散热与小型化设计。该器件性能强劲具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定传递50A的连续大电流，其低至6.5mΩ的导通电阻(RD(on))保证了卓越的能效比和低损耗运行。广泛应用在电源转换、电机驱动等高电流处理场景，是提升系统性能和实施节能策略的理想半导体组件。
- 商品型号
- SM6536D1RL-HXY
- 商品编号
- C22367096
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
RJK0365DPA采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 50A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源