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NTMFS4C032N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流为50A，可承载一定功率。电压30V，能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值6.5mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定功率适中的电子设备进行电流控制。
- 商品型号
- NTMFS4C032N-HXY
- 商品编号
- C22367093
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
NTMFS4C032N采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 30V
- 漏极电流 = 50A
- 漏源导通电阻 < 8.5mΩ
- 栅源电压 = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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