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SIR462DP-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- SIR462DP-T1-GE3 N沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，集小巧尺寸与高效散热于一身。该器件性能卓著，具备30V的最大漏源电压(VDSS)，能够处理高达50A的连续电流，其低至6.5mΩ的导通电阻(RD(on))确保了强大的功率转换能力和节能效果。广泛应用于电源管理、电机驱动等大电流领域，是提高系统性能与节能方案的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- SIR462DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367095
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
CSD17307Q5A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 50 A
- RDS(ON) < 8.5 mΩ（VGS = 10 V）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源