温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7139DP-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SI7139DP-T1-GE3 P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，不仅具有良好的散热性能，而且体型小巧便于集成。器件关键参数如下最高漏源电压(VDSS)为30V，能承受高达70A的连续电流，且拥有6mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保了高效的功率转换与较低的能耗。广泛应用在电源转换、电机驱动等领域，是优化系统性能、达成节能目标的理想半导体组件。
- 商品型号
- SI7139DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367091
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF |
商品概述
SI7139DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = - 30V
- 漏极电流（ID） = - 70A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 8.8 mΩ（栅源电压（VGS） = - 10V）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源