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AONS21357-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- AONS21357 P沟道MOSFET采用小型化DFN5X6-8L封装，具备优秀散热性能，适合紧凑空间布局。器件参数优势明显支持30V的最高漏源电压(VDSS)，能够提供高达70A的连续电流，且导通电阻仅为6mΩ，有效提升系统工作效率，降低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等多种大电流场景，是您追求高性能与节能设计的理想半导体器件选择。
- 商品型号
- AONS21357-HXY
- 商品编号
- C22367089
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1415克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF |
商品概述
SIRA01DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -90A
- RDS(ON) < 4.5 mΩ VGS = -10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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