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FDMS6673BZ-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- FDMS6673BZ P沟道MOSFET采用先进DFN5X6-8L封装，融合了卓越散热与紧凑体积。该器件性能优越，具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可支持高达70A的连续工作电流，且导通电阻(RD(on))低至6mΩ，有效提升系统能效，降低损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等高电流场景，是追求高性能、节能应用的理想半导体器件选择。
- 商品型号
- FDMS6673BZ-HXY
- 商品编号
- C22367090
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1415克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF |
商品概述
BSC030P03NS3G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V ID = - 100A
- RDS(ON) < 4mΩ VGS = - 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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