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AON7403-HXY
耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- AON7403 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型DFN3X3-8L封装，专为高密度、低电阻应用设计。器件能在30V电压下稳定工作，提供高达40A的连续电流，尤其适用于电源开关、负载驱动等场合。其导通电阻仅为13mΩ，有效减少了功率损耗，实现了卓越的能效表现。AON7403 MOS管是紧凑型、高效能电子设计的理想之选。
- 商品型号
- AON7403-HXY
- 商品编号
- C22367078
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
AON7403采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -35A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 26mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器
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