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IRFHM9331PBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 力荐IRFHM9331PbF P沟道MOSFET，采用现代化DFN3X3-8L封装技术，实现小型化与高效散热。这款器件强大之处在于具有30V的最大耐压值(VDSS)，可持续提供高达40A的工作电流，并配备业界领先的13mΩ导通电阻(RD(on))，大幅度减少能量损耗。适用于广泛的电源转换、电机驱动及高功率应用场合，是优化系统效能和节能降耗的理想半导体元件。
- 商品型号
- IRFHM9331PBF-HXY
- 商品编号
- C22367083
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
IRFHM9331PBF采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下，提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -35A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 15mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 26mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示屏的DC/DC转换器
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