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BSC030P03NS3G-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 这款场效应管为P型，电流高达110A，可承载较大功率。电压30V，能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值仅3mR，能量损耗小。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定高功率电子设备的电流控制。
- 商品型号
- BSC030P03NS3G-HXY
- 商品编号
- C22367086
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
STD25NF10LT4采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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