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SI7145DP-T1-GE3-HXY
N沟道 30V 100A
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- 描述
- 热销SI7145DP-T1-GE3 P沟道MOSFET，采用DFN5X6-8L封装技术，整合小巧体积与高效散热功能。该器件性能卓越，具有30V的最高耐压值(VDSS)，支持高达110A的连续工作电流，其导通电阻(RD(on))低至3mΩ，确保了优异的电能转换效率和低功耗表现。广泛应用于大电流负载场景，如电源转换、电机驱动等行业，是提升系统性能和节能效果的理想半导体解决方案。
- 商品型号
- SI7145DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367087
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品概述
NTD6415ANLT4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100 V，ID = 30 A
- RDS(ON) < 48 mΩ@ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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