立创商城logo
购物车0
PXP012-30QLJ-HXY实物图
  • PXP012-30QLJ-HXY商品缩略图
  • PXP012-30QLJ-HXY商品缩略图
  • PXP012-30QLJ-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PXP012-30QLJ-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:40A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
引荐PXP012-30QL P沟道MOSFET,搭载紧凑型DFN3X3-8L封装技术,将小巧外形与卓越散热性能融为一体。器件性能卓越具备30V的最大稳态漏源电压(VDSS),连续电流承载能力高达40A,同时拥有仅为13mΩ的超低导通电阻(RD(on)),有效保障高效能运作并减少能耗。该MOS管广泛应用在电源转换、电机驱动等领域,是提升系统整体性能和节能方案的理想选择。
商品型号
PXP012-30QLJ-HXY
商品编号
C22367085
商品封装
DFN3x3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.076克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)15W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.33nF
反向传输电容(Crss)156pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)183pF

数据手册PDF