温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PXP012-30QLJ-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 引荐PXP012-30QL P沟道MOSFET，搭载紧凑型DFN3X3-8L封装技术，将小巧外形与卓越散热性能融为一体。器件性能卓越具备30V的最大稳态漏源电压(VDSS)，连续电流承载能力高达40A，同时拥有仅为13mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有效保障高效能运作并减少能耗。该MOS管广泛应用在电源转换、电机驱动等领域，是提升系统整体性能和节能方案的理想选择。
- 商品型号
- PXP012-30QLJ-HXY
- 商品编号
- C22367085
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.076克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
PXP012 - 30QLJ采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V，漏极电流ID = - 35A
- 当栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 26mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐
- BSC030P03NS3G-HXY
- SI7145DP-T1-GE3-HXY
- SIRA01DP-T1-GE3-HXY
- AONS21357-HXY
- FDMS6673BZ-HXY
- SI7139DP-T1-GE3-HXY
- FDMS8880-HXY
- NTMFS4C032N-HXY
- RJK0365DPA-HXY
- SIR462DP-T1-GE3-HXY
- SM6536D1RL-HXY
- CSD17307Q5A-HXY
- FDMS7698-HXY
- FDMS8888-HXY
- NTMFS4C029N-HXY
- NVMFS4C310N-HXY
- DMN53D0LQ-HXY
- DMN5L06K-HXY
- IRLML6401PBF-HXY
- SM2305SRL-HXY
- IRLML2244PBF-HXY