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SI7423DN-T1-E3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 为您精选SI7423DN-T1-E3 P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为现代高性能电子设备设计，力求空间利用率和热性能的最佳平衡。本器件关键特性包括最高击穿电压VDSS达到30V，可稳定承载40A连续电流，尤其突出的是仅有13mΩ的超低导通电阻，确保高效能、低功耗运行。广泛应用于电源转换、马达驱动以及各种电流控制场合，助您轻松实现电路设计优化与性能升级。
- 商品型号
- SI7423DN-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22367082
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SI7423DN-T1-E3采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -35A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 26mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器
- DFN3X3-8L封装
- P沟道MOSFET
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