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SI7423DN-T1-E3-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI7423DN-T1-E3-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:40A

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描述
为您精选SI7423DN-T1-E3 P沟道MOSFET,采用紧凑型DFN3X3-8L封装,专为现代高性能电子设备设计,力求空间利用率和热性能的最佳平衡。本器件关键特性包括最高击穿电压VDSS达到30V,可稳定承载40A连续电流,尤其突出的是仅有13mΩ的超低导通电阻,确保高效能、低功耗运行。广泛应用于电源转换、马达驱动以及各种电流控制场合,助您轻松实现电路设计优化与性能升级。
商品型号
SI7423DN-T1-E3-HXY
商品编号
C22367082
商品封装
DFN3x3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0655克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)15W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.33nF
反向传输电容(Crss)156pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)183pF

数据手册PDF