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SI7121ADN-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 热销SI7121ADN-T1-GE3 P沟道MOSFET，采用精巧DFN3X3-8L封装工艺，以实现更高的集成密度和优异散热效果。此款MOS管具备强大参数额定电压VDSS为30V，可承受最大连续电流ID40A，并拥有超低导通电阻RD(on)仅为13mΩ，显著增强系统能效表现。广泛应用在高级电源管理、电机驱动控制等领域，是您优化电路设计、追求卓越性能的理想半导体组件。
- 商品型号
- SI7121ADN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367081
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
SI7121ADN-T1-GE3采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V，漏极电流ID = - 35A
- 当栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 26mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器
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