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IRF100S201-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:260A
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- 描述
- IRF100S201 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-263封装，专为大电流、高效率应用设计。器件能在100V电压下稳定工作，并支持高达260A的连续电流，尤其适用于大型电源系统、设备开关和电源转换。其卓越的导通电阻仅为2.4mΩ，有效降低功耗，大幅提升系统能效。IRF100S201 MOS管是您实现强大电力传输和节能环保的理想选择。
- 商品型号
- IRF100S201-HXY
- 商品编号
- C22367077
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.692克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 379W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.505nF |
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