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STD25NF10LT4-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- STD25NF10LT4 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为大电流、高电压应用设计。其拥有100V的工作电压和30A的连续电流承载能力，特别适用于电源转换、电机驱动等领域。关键特点是导通电阻仅为35mΩ，有效提升系统能效，降低功耗。这款MOS管凭借卓越的性能和可靠性，成为众多高功率电子设备的理想选择。
- 商品型号
- STD25NF10LT4-HXY
- 商品编号
- C22367071
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IPD30N10S3L34采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V ID = 30A
- RDS(ON) < 48mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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