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STD25N10F7-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STD25N10F7-HXY

1个N沟道 耐压:100V 电流:30A

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描述
STD25N10F7 是一款高性能N沟道MOSFET,采用TO-252-2L封装,专为处理高电压、大电流任务设计。其工作电压高达100V,连续电流承载量可达30A,尤其适用于电源转换、电机驱动等应用场合。独特优势在于导通电阻仅为35mΩ,有效保障了在大电流工作状态下的低损耗与高效能表现。选择STD25N10F7 MOS管,赋予您的电路设计更高功率、更优能效的特质。
商品型号
STD25N10F7-HXY
商品编号
C22367072
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.366667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))37mΩ@10V
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.964nF
反向传输电容(Crss)74pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)90pF

数据手册PDF