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STD25N10F7-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- STD25N10F7 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为处理高电压、大电流任务设计。其工作电压高达100V，连续电流承载量可达30A，尤其适用于电源转换、电机驱动等应用场合。独特优势在于导通电阻仅为35mΩ，有效保障了在大电流工作状态下的低损耗与高效能表现。选择STD25N10F7 MOS管，赋予您的电路设计更高功率、更优能效的特质。
- 商品型号
- STD25N10F7-HXY
- 商品编号
- C22367072
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
STD25N10F7采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 30A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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