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FDD3860-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- FDD3860 是一款高性能N沟道MOSFET，采用常见的TO-252-2L封装，特别适合于高电压、大电流应用场景，如电源转换、电机驱动等。该器件能承受100V的工作电压，并支持30A的连续电流，具有出色的电流处理能力。其导通电阻低至35mΩ，有效降低功率损耗，提升系统能效。选择FDD3860 MOS管，将为您带来更加稳定、高效的电路设计体验。
- 商品型号
- FDD3860-HXY
- 商品编号
- C22367074
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
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