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AOD2916-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- AOD2916 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为满足高电压、大电流应用需求而设计。工作电压高达100V，连续电流承载能力高达30A，特别适用于电源转换、电机驱动等场景。其导通电阻仅为35mΩ，确保在大电流运行时仍能保持卓越的能效和较低的功率损耗。AOD2916 MOS管是构建高效率、高稳定性电子设备的理想选择。
- 商品型号
- AOD2916-HXY
- 商品编号
- C22367073
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
SI7145DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V，漏极电流ID = -100 A
- 当栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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