RZE002P02TL-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- RZE002P02 是一款P沟道MOSFET,采用超小型SOT-523封装,专为便携式和空间敏感型电子设备设计。器件规格包括最大漏源电压(VDSS)为20V,能够承载0.7A的漏极电流(ID),并具有260mR的导通电阻(RD(on)),在低电压、小电流应用中展现优秀性能。这款MOS管适合应用于电源管理、电池保护电路、逻辑电平转换等领域,是提升系统效能和精简空间的理想选择。
- 商品型号
- RZE002P02TL-HXY
- 商品编号
- C22367060
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
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