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IPD30N10S3L34-HXY实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPD30N10S3L34-HXY

1个N沟道 耐压:100V 电流:30A

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描述
这款场效应管为N型，电流达30A，可承载较大功率。电压为100V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值35mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流调控。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IPD30N10S3L34-HXY
商品编号
C22367069
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.372克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)20nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

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