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IPD30N10S3L34-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流达30A，可承载较大功率。电压为100V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值35mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流调控。
- 商品型号
- IPD30N10S3L34-HXY
- 商品编号
- C22367069
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
IPD30N10S3L34采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V ID = 30A
- RDS(ON) < 48mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- NTD6415ANLT4G-HXY
- STD25NF10LT4-HXY
- STD25N10F7-HXY
- AOD2916-HXY
- FDD3860-HXY
- IRF540ZPBF-HXY
- IRF1407PBF-HXY
- IRF100S201-HXY
- AON7403-HXY
- DMP3008SFG-HXY
- DMP3036SFG-HXY
- SI7121ADN-T1-GE3-HXY
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- IRFHM9331PBF-HXY
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