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IPD30N10S3L34-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流达30A，可承载较大功率。电压为100V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值35mR，能量损耗较低。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定大功率电子设备的电流调控。
- 商品型号
- IPD30N10S3L34-HXY
- 商品编号
- C22367069
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDD3860采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V ID = 30A
- RDS(ON) < 48mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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