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SI1013X-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- SI1013X-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用超小型SOT-523封装，特别适合于紧凑型电子设备的内部空间优化。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定传输0.7A漏极电流(ID)，同时，它还具有260mR的导通电阻(RD(on))，确保在低电压、小电流应用中实现良好性能和低功耗。这款MOS管广泛应用于电源管理、电池保护、逻辑电平转换等场景，是小型化电子产品设计的理想半导体组件。
- 商品型号
- SI1013X-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367061
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
RD3P200SNFRATL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 30A
- RDS(ON) < 48mΩ（VGS = 10V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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