SI1013X-T1-GE3-HXY

1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A

描述

SI1013X-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用超小型SOT-523封装，特别适合于紧凑型电子设备的内部空间优化。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定传输0.7A漏极电流(ID)，同时，它还具有260mR的导通电阻(RD(on))，确保在低电压、小电流应用中实现良好性能和低功耗。这款MOS管广泛应用于电源管理、电池保护、逻辑电平转换等场景，是小型化电子产品设计的理想半导体组件。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI1013X-T1-GE3-HXY

商品编号

C22367061

商品封装

SOT-523​

包装方式

编带

商品毛重

0.0188克(g)