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FDD3682-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- FDD3682 是一款高性能N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，适用于高功率应用。该器件具有100V的高耐压值和高达30A的连续电流承载能力，尤其适合于电源转换、电机驱动等大电流领域。其导通电阻低至35mΩ，确保在高负荷运行条件下仍保持卓越的能效和散热性能。选择FDD3682 MOS管，即选择了强大稳定、高效节能的半导体解决方案。
- 商品型号
- FDD3682-HXY
- 商品编号
- C22367063
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
FDY100PZ采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至2.5V的栅极电压运行。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -0.66A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 560 mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 780 mΩ
- 静电放电等级：1500V人体模型（HBM）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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