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RD3P200SNFRATL-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- RD3P200SNFRATL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用行业标准TO-252-2L封装，适用于高功率、大电流应用场景。该器件具备100V的高耐压值和高达30A的连续电流承载力，确保在电力转换、电机驱动等领域的稳定运作。其引人注目的35mΩ导通电阻使得在大电流工作状态下的能量损耗降至最低，从而提高整体能效。这款MOS管是实现高效、节能电子系统的首选元件。
- 商品型号
- RD3P200SNFRATL-HXY
- 商品编号
- C22367065
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRFR3410PBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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