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AOD482-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- AOD482 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。它具有100V的高耐压值和30A的强大连续电流处理能力，特别适用于电源转换、电机驱动等场合。该器件的导通电阻仅为35mΩ，确保在大电流工况下仍然保持低损耗和高效率，是您构建高效、稳定电子系统的关键元件之一。
- 商品型号
- AOD482-HXY
- 商品编号
- C22367068
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
- IPD30N10S3L34-HXY
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