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AOD482-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- AOD482 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。它具有100V的高耐压值和30A的强大连续电流处理能力，特别适用于电源转换、电机驱动等场合。该器件的导通电阻仅为35mΩ，确保在大电流工况下仍然保持低损耗和高效率，是您构建高效、稳定电子系统的关键元件之一。
- 商品型号
- AOD482-HXY
- 商品编号
- C22367068
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
DMP22D6UT采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 560 mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 780 mΩ
- 静电放电等级：1500V HBM
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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