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ST36N10D-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- ST36N10D 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典的TO-252-2L封装，专为大电流、高电压应用设计。该器件提供100V的耐压能力和30A的连续电流处理性能，尤其适合于电源转换、马达驱动等高强度作业环境。其导通电阻低至35mΩ，有效降低了功耗并提升了整体系统效率。选择ST36N10D MOS管，意味着选择了稳定、高效、大电流应用的最佳半导体解决方案。
- 商品型号
- ST36N10D-HXY
- 商品编号
- C22367066
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.369128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RZE002P02TL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20 V，ID = -0.66 A
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 560 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) < 780 mΩ
- 静电放电等级：1500 V HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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