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Si2328DS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- Si2328DS-T1-GE3 N沟道MOSFET，采用经济高效的SOT-23-3L封装，专为要求严苛的电力应用设计。器件具备强大性能，最高工作电压VDSS达100V，连续电流承载能力高达5A，同时具有出色的100mR导通电阻，确保在高功率运行下也能保持低能耗。此款MOS管广泛应用在电源管理、马达驱动、逆变器等领域，是众多工程师设计解决方案的首选组件。
- 商品型号
- Si2328DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367049
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SMC2207ESC采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 560mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 780mΩ
- 静电放电等级：1500V人体模型（HBM）
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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