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DMP21D0UT-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流为0.66A，可满足较小功率需求。电压20V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值260mR，会有一定能量损耗。VGS为12V。在消费电子领域，可用于特定小型电子设备的电流调控。
- 商品型号
- DMP21D0UT-HXY
- 商品编号
- C22367052
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
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