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FDY100PZ-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- FDY100PZ 是一款采用SOT-523微型封装的高性能P沟道MOS管，适合空间有限且要求苛刻的应用环境。此器件工作电压高达20V，最大连续电流可达0.7A，展现出卓越的负载驱动能力。尤为突出的是其260mΩ的低导通电阻，有助于提高系统效率并减少能耗。这款MOS管广泛应用于电源转换、负载开关以及其它低压电子设备中，是您实现高效节能设计的理想组件。
- 商品型号
- FDY100PZ-HXY
- 商品编号
- C22367058
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
Si2328DS-T1-GE3采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性，适用于
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 5 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 140 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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