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FTK3139E-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
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- 描述
- FTK3139E P沟道MOS管采用紧凑型SOT-523封装，特别适应对空间要求严格的电路设计。该器件具备优秀的电气性能，最大工作电压VDSS为20V，连续电流ID可达0.7A，而导通电阻RD(on)低至260mR，确保在低电流应用中仍能保持高能效。广泛应用于手持设备、电源管理、逻辑接口转换等场合，FTK3139E 以小巧体型、优良性能和高可靠性，成为各类微电子系统设计的理想组件。
- 商品型号
- FTK3139E-HXY
- 商品编号
- C22367053
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
DMP21D0UT采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 560 mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 780 mΩ
- 静电放电等级：1500V HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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