FTK3139E-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
- 描述
- FTK3139E P沟道MOS管采用紧凑型SOT-523封装,特别适应对空间要求严格的电路设计。该器件具备优秀的电气性能,最大工作电压VDSS为20V,连续电流ID可达0.7A,而导通电阻RD(on)低至260mR,确保在低电流应用中仍能保持高能效。广泛应用于手持设备、电源管理、逻辑接口转换等场合,FTK3139E 以小巧体型、优良性能和高可靠性,成为各类微电子系统设计的理想组件。
- 商品型号
- FTK3139E-HXY
- 商品编号
- C22367053
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
- SMC2207ESC-HXY
- DMG1013T-HXY
- DMP2004TK-HXY
- RTE002P02-HXY
- RZE002P02TL-HXY
- IRFR3410PBF-HXY
- RD3P200SNFRATL-HXY
- AOD482-HXY
- NTD6415ANLT4G-HXY
- STD25NF10LT4-HXY
- STD25N10F7-HXY
- AOD2916-HXY
- IRF540ZPBF-HXY
- IRF1407PBF-HXY
- IRF100S201-HXY
- AON7403-HXY
- DMP3008SFG-HXY
- SI7423DN-T1-E3-HXY
- IRFHM9331PBF-HXY
- MDV3605URH-HXY
- BSC030P03NS3G-HXY
- SMC2207ESC-HXY
- DMG1013T-HXY
- DMP2004TK-HXY
- RTE002P02-HXY
- RZE002P02TL-HXY
- IRFR3410PBF-HXY
- RD3P200SNFRATL-HXY
- AOD482-HXY
- NTD6415ANLT4G-HXY
- STD25NF10LT4-HXY
- STD25N10F7-HXY
- AOD2916-HXY
- IRF540ZPBF-HXY
- IRF1407PBF-HXY
- IRF100S201-HXY
- AON7403-HXY
- DMP3008SFG-HXY
- SI7423DN-T1-E3-HXY
- IRFHM9331PBF-HXY
- MDV3605URH-HXY
- BSC030P03NS3G-HXY



