嘉立创上市
购物车0
FTK3139E-HXY实物图
  • FTK3139E-HXY商品缩略图
  • FTK3139E-HXY商品缩略图
  • FTK3139E-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FTK3139E-HXY

1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A

描述
FTK3139E P沟道MOS管采用紧凑型SOT-523封装,特别适应对空间要求严格的电路设计。该器件具备优秀的电气性能,最大工作电压VDSS为20V,连续电流ID可达0.7A,而导通电阻RD(on)低至260mR,确保在低电流应用中仍能保持高能效。广泛应用于手持设备、电源管理、逻辑接口转换等场合,FTK3139E 以小巧体型、优良性能和高可靠性,成为各类微电子系统设计的理想组件。
商品型号
FTK3139E-HXY
商品编号
C22367053
商品封装
SOT-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.0188克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)660mA
导通电阻(RDS(on))560mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))700mV
属性参数值
输入电容(Ciss)115pF
反向传输电容(Crss)9pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)15pF

数据手册PDF